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韩代工厂 Key Foundry 开始量产 180nm 高压 BCD 器件

发表于:2024-04-29 作者:创始人
编辑最后更新 2024年04月29日,韩国头部代工厂 Key Foundry 的 180nm 高压 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺已开始进行大规模生产,并计划在今年晚些时候生产 200V 器件。BCD(Bipolar-C

韩国头部代工厂 Key Foundry 的 180nm 高压 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺已开始进行大规模生产,并计划在今年晚些时候生产 200V 器件。

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术是一种单片集成工艺技术,能够在同一芯片上制作 Bipolar、CMOS 和 DMOS 器件,1985 年由意法半导体率先研制成功。随着集成电路工艺的进一步发展,BCD 工艺已经成为 PIC 的主流制造技术。

据 eeNews 报道,从 Magnachip 剥离出来后,Key Foundry 提供 180nm 的 BCD 工艺,适用于从 8V 到 150V 的宽电压范围的功率器件。100V 或 150V 级别的器件用于智能手机或笔记本电脑中的电池充电 IC,例如提高 Type-C 充电器的性能。在 60V BCD 工艺中,最大功率可达 100W,但如果充电 IC 采用 150V BCD 工艺设计,则传输功率可增加至 240W。

此外,这些高压器件也可用于设计大功率工业电机的驱动芯片。Key Foundry 表示,计划在今年下半年为通信和工业设备的大功率电压转换器 IC 提供 200V 级高压器件。

BCD 是一种将模拟信号控制用双极电路、数字信号控制用 CMOS 电路和高压处理用 DMOS 电路集成在一块芯片上的工艺技术,适用于各种功率半导体产品,具有电压高、可靠性高、电子干扰低等优点。

Key Foundry 表示,"最近,为了实现高速电力传输和高功率效率,功率半导体市场对 100V 或更高电压的 BCD 技术的需求正在增加。尤其是在很少有工厂使用块状硅晶圆(bulk-type silicon wafer)提供 100V 或更高电压的 BCD 工艺,在不使用 SOI 衬底的情况下,启动 180nm 150V BCD 技术的量产具有重大意义。"

2022-05-06 00:51:12
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